pn结只要加上正向电压pn结就导通,pn结正向导通时内外电场不一致

 2023-10-14  阅读 483  评论 0

摘要:今天小编mail为大家分享的生活小常识,希望能够帮助到大家!pn结正向导通时,pn结正向导通时其内外电场方向一致这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!1、PN结加正向电压时导通,如果电源的正极接P区,负极接N区,外加的正向电压有一部分

今天小编mail为大家分享的生活小常识,希望能够帮助到大家!

pn结正向导通时,pn结正向导通时其内外电场方向一致这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!

1、PN结加正向电压时导通,如果电源的正极接P区,负极接N区,外加的正向电压有一部分降落在PN结区,PN结处于正向偏置。

2、电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,电流可以顺利通过,方向与PN结内电场方向相反。

3、拓展资料关于PN结采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PN junction)。

4、2、特性:从PN结的形成原理可以看出,要想让PN结导通形成电流,必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。

5、很显然,给它加一个反方向的更大的电场,即P区接外加电源的正极,N区结负极,就可以抵消其内部自建电场,使载流子可以继续运动,从而形成线性的正向电流。

6、而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大,PN结不能导通,仅有极微弱的反向电流(由少数载流子的漂移运动形成,因少子数量有限,电流饱和)。

7、3、发展过程:1935年后贝尔实验室的一批科学家转向研究Si材料,1940年,用真空熔炼方法拉制出多晶Si棒并且掌握了掺入Ⅲ、Ⅴ族杂质元素来制造P型和N型多晶Si的技术。

8、还用生长过程中掺杂的方法制造出第一个Si的PN结,发现了Si中杂质元素的分凝现象,以及施主和受主杂质的补偿作用。

9、 参考资料:百度百科-PN结。

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