二代测序技术原理及流程，二代测序的原理及步骤

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二代测序原理及应用，PMOS管应用原理是什么这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、工作原理：PMOS的工作原理与NMOS相类似。

2、因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。

3、当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。

4、同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

5、简介：金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类。

6、P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的负电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

7、改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。

8、这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。

9、如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

10、这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。

11、统称为PMOS晶体管。

12、MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。

13、此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求有较高的工作电压。

14、它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管--晶体管逻辑电路不兼容。

15、PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属-氧化物-半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。

16、只是,因PMOS电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

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